anisotropy (1) 썸네일형 리스트형 Plasma etch 1: requirements 오늘은 "Principles of plasma discharges and materials processing"의 챕터 15 Etch부분을 공부해봅시다. 플라즈마 식각 요구조건 (Plasma etch requirements) 플라즈마 식각 프로세스에는 여러가지 요구 조건들이 있다: 식각 속도 (etch rate), 이방성 (anisotropy), 선택성 (selectivity), 웨이퍼 전반 균일성 (uniformity), 표면 질 (surface quality), 프로세스 재현성 (process reproducibility). 아래의 예로 요구 조건들을 하나 하나 살펴보자. - 식각 속도 (etch rate) : 상업적인 용도로 쓰일 때는 photoresist (PR)가 다 벗겨져야하고 polysili.. 이전 1 다음
